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650V/700V Multi-EPI SJ MOS

"基于革命性超結(jié) (SJ) 原理設計，使用先進的多次外延（Multi-EPI）工藝技術(shù)制造，擁有更優(yōu)的EMI特性，更容易通過安規(guī)認證；超低導通電阻和結(jié)電容，有效降低導通損耗和開關(guān)損耗，效率高，發(fā)熱小，可以適應更高的開關(guān)頻率；DFN超薄外形封裝，可應用于小體積PD快速充電器。 "

反激是指反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開關(guān)電源，mos導通時，輸出變壓器充當電感，電能轉(zhuǎn)化為磁能，此時輸出回路無電流，相反，當mos關(guān)斷時，輸出變壓器釋放能量，磁能轉(zhuǎn)化為電能，輸出回路有電流。反激電路元器件少，電路簡單成本低體積小可同時輸出多路互相隔離的電路。

DT MOS/Trench MOS

DT MOSFET是采用了具有降低表面電場(Reduced Surface) 原理的屏蔽柵（或稱為分立柵）MOSFET技術(shù)(Shield/Split Gate ）的Trench MOSFET，從而降低器件的比導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。

Trench MOS優(yōu)化了芯片的元胞設計和版圖布局，可以提高器件各個方向的電流均勻性，有效防止在極限工作下部分區(qū)域的提前失效，增強了產(chǎn)品功率密度和可靠性

同步整流Rectification MOSFET在開關(guān)電源中用于提高電源的效率，它替代輸出整流二極管，利用其導通內(nèi)阻低的特點彌補二極管導通損耗高的缺陷。