DT MOS
通過(guò)采用最先進(jìn)的溝槽柵工藝技術(shù)和完美的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)， 紫光微電子的MOSFET實(shí)現(xiàn)功率密度最大化， 從而大幅度降低電流傳導(dǎo)過(guò)程中的導(dǎo)通功率損耗。 同時(shí)， 電流在芯片元胞當(dāng)中的流通會(huì)更加均勻穩(wěn)定，其有效降低了柵極電荷 (Qg)，尤且是柵極漏極間的電荷 (Qgd)，從而在快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中降低開(kāi)關(guān)功率損耗。 通過(guò)采用這些先進(jìn)的技術(shù)手段， MOSFET的FOM (Qg x Rdson)得以實(shí)現(xiàn)行行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。
